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SSM6J505NU_V01	文件：276.69 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) 1.2 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 61 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V) RDS(ON) = 30 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 21 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 16 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 12 m 文件：276.69 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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更多SSM6J505NU_V01供应商更新时间2021-9-14 10:50:00