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SSM6J505NU_V01

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

1.Applications •PowerManagementSwitches 2.Features (1)1.2Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=61mΩ(max)(@VGS=-1.2V) RDS(ON)=30mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=21mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=16mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=12m

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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更多SSM6J505NU_V01供应商 更新时间2025-5-25 22:30:00