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SSM6J505NU中文资料东芝数据手册PDF规格书

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厂商型号

SSM6J505NU

功能描述

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

丝印标识

SP5

封装外壳

UDFN6B

文件大小

276.69 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

网址

数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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SSM6J505NU规格书详情

1. Applications

• Power Management Switches

2. Features

(1) 1.2 V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 61 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V)

RDS(ON) = 30 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)

RDS(ON) = 21 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 16 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 12 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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