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SSM6J422TU	文件：290.63 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1.Applications •PowerManagementSwitches 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)1.5-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=99.6mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=67.8mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=51.4mΩ(m	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM6J422TU	文件：295.63 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS??	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM6J422TU_V01	文件：290.63 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1.Applications •PowerManagementSwitches 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)1.5-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=99.6mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=67.8mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=51.4mΩ(m	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM6J422TULF	文件：290.63 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1.Applications •PowerManagementSwitches 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)1.5-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=99.6mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=67.8mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=51.4mΩ(m	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM6J422TULXGF	文件：290.63 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1.Applications •PowerManagementSwitches 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)1.5-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=99.6mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=67.8mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=51.4mΩ(m	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM6J422TULXHF	文件：290.63 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1.Applications •PowerManagementSwitches 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)1.5-Vgatedrivevoltage. (3)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=99.6mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=67.8mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=51.4mΩ(m	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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