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SSM6J422TU	文件：290.63 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJH；Package：UF6；MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.5-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 99.6 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 67.8 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 51.4 mΩ (m 文件：290.63 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J422TU	文件：295.63 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJH；Package：UF6；MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS?? 文件：295.63 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J422TU_V01	文件：290.63 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.5-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 99.6 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 67.8 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 51.4 mΩ (m 文件：290.63 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J422TULF	文件：290.63 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJH；Package：UF6；MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.5-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 99.6 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 67.8 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 51.4 mΩ (m 文件：290.63 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J422TULXGF	文件：290.63 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJH；Package：UF6；MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.5-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 99.6 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 67.8 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 51.4 mΩ (m 文件：290.63 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J422TULXHF	文件：290.63 Kbytes Page：9 Pages	丝印：AJH；Package：UF6；MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) 1.5-V gate drive voltage. (3) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 99.6 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 67.8 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 51.4 mΩ (m 文件：290.63 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6J422TU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Feature：1.5-volt gate drive voltage\nPolarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID -4 A \nPower Dissipation PD 1 W \nDrain-Source voltage VDSS -20 V \nGate-Source voltage VGSS -8/+6 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
UF6
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.7
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-20
ID(A)：
-4.0
=2.5V：
0.0514
=4.5V：
0.0427
Qg(nC)：
12.8
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Low Voltage Gate Drive

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