SSM6J422TU_V01中文资料TOSHIBA规格书PDF资料数据手册-114ic电子网

SSM6J422TU_V01中文资料PDF规格书

厂商型号	SSM6J422TU_V01
功能描述	MOSFETs Silicon P-Channel MOS
文件大小	290.63 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	Toshiba Semiconductor
企业简称	TOSHIBA【东芝】
中文名称	株式会社東芝官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2024-6-23 11:09:00

1. Applications

• Power Management Switches

2. Features

(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)

(2) 1.5-V gate drive voltage.

(3) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 99.6 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)

RDS(ON) = 67.8 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 51.4 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 42.7 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

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