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SSM3K7002KF	文件：231.24 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN；Package：S-Mini；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • High-Speed Switching 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：231.24 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KF	文件：218.16 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN；Package：S-Mini；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 文件：218.16 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KF_V01	文件：231.24 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • High-Speed Switching 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：231.24 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFLF	文件：231.24 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN；Package：S-Mini；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • High-Speed Switching 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：231.24 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFLXGF	文件：231.24 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN；Package：S-Mini；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • High-Speed Switching 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：231.24 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFLXHF	文件：231.24 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN；Package：S-Mini；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • High-Speed Switching 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：231.24 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFU	文件：230.56 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN；Package：USM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • High-Speed Switching 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：230.56 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFU_V01	文件：230.56 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • High-Speed Switching 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：230.56 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFULF	文件：230.56 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN；Package：USM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • High-Speed Switching 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：230.56 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFULXG	文件：230.56 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN；Package：USM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • High-Speed Switching 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：230.56 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
S-Mini
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
60
ID(A)：
0.4
=4.5V：
1.75
=10V：
1.5
Qg(nC)：
0.39
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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