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SSM3K7002KFU	文件：230.56 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN；Package：USM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • High-Speed Switching 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：230.56 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFU	文件：217.67 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN；Package：USM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 文件：217.67 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFU_V01	文件：230.56 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • High-Speed Switching 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：230.56 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFULF	文件：230.56 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN；Package：USM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • High-Speed Switching 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：230.56 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFULXG	文件：230.56 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN；Package：USM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • High-Speed Switching 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：230.56 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFULXH	文件：230.56 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NN；Package：USM；MOSFETs Silicon N-Channel MOS 1. Applications • High-Speed Switching 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list) (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V) RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V) 文件：230.56 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅦ-H\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国 Drain current ID 0.4 A \nPower Dissipation PD 0.15 W \nDrain-Source voltage VDSS 60 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name(Toshiba)：
USM
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.9
AEC-Q101：
Qualified(*)
Polarity：
N-ch
VDSS(V)：
60
ID(A)：
0.4
=4.5V：
1.75
=10V：
1.5
Qg(nC)：
0.39
Tch(℃)：
150
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	SSM3K7002KFU	TOSHUBA	2019+	SOT-323	36000	原盒原包装可BOM配套	询价
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深圳市云美电子科技有限公司	SSM3K7002KFU	TOSHIBA/东芝	24+	SOT-323	37935	郑重承诺只做原装进口现货	询价

更多SSM3K7002KFU供应商更新时间2025-10-8 16:04:00

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