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SSM3K7002KFLF	文件：231.24 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS 1.Applications •High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFLXGF	文件：231.24 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS 1.Applications •High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFLXHF	文件：231.24 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS 1.Applications •High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFU	文件：217.67 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFU	文件：230.56 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS 1.Applications •High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFULF	文件：230.56 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS 1.Applications •High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFULXG	文件：230.56 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS 1.Applications •High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3K7002KFULXH	文件：230.56 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS 1.Applications •High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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