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SSM3K35AMFV

Small Low ON resistance MOSFETs

Polarity:N-ch\nGeneration:U-MOSⅢ\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:泰国 Drain current ID 0.25 A \nDrain-Source voltage VDSS 20 V \nGate-Source voltage VGSS +/-10 V ;

Toshiba

东芝

SSM3K35AMFV

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

文件:228.55 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM3K35CT

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

文件:215.9 Kbytes 页数:5 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM3K35CTC

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

文件:257.26 Kbytes 页数:9 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM3K35CTC

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VS = 20v + RDS(ON) =300mQ (typ) @ VGS= 2.5V/ + RDS(ON) =250mQ (typ) @ VGS= 4.5V/ + ESD Protected up to 2KV.

文件:2.52997 Mbytes 页数:5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

技术参数

  • Polarity:

    N-ch

  • VDSS(V):

    20

  • VGSS(V):

    +/-10

  • ID(A):

    0.25

  • PD(W):

    0.15

  • Ciss(pF):

    18

  • Qg(nC):

    0.34

  • =1.2V:

    9.0

  • =1.5V:

    3.1

  • =1.8V:

    2.4

  • =2.5V:

    1.6

  • =4.5V:

    1.1

  • Number of pins:

    3

  • Surface mount package:

    Y

  • Package name(Toshiba):

    VESM

  • Generation:

    U-MOSⅢ

  • Width×Length×Height(mm):

    1.2 x 1.2 x 0.5

  • Package Size(mm^2):

    1.44

  • Drive voltage type:

    Low Voltage Gate Drive

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA(东芝)
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