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SSM3J338R	文件：424.34 Kbytes Page：9 Pages	Marking：KFQ；Package：SOT-23F；MOSFETs Silicon P-Channel MOS Applications •PowerManagementSwitches Features (1)1.8Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=26.3mΩ(typ.)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=20.1mΩ(typ.)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=15.9mΩ(typ.)(@VGS=-4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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