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SSM3J338R中文资料东芝数据手册PDF规格书

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厂商型号

SSM3J338R

功能描述

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

丝印标识

KFQ

封装外壳

SOT-23F

文件大小

424.34 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-23 20:00:00

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SSM3J338R规格书详情

Applications

• Power Management Switches

特性 Features

(1) 1.8 V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 26.3 mΩ (typ.) (@VGS = -1.8 V)

RDS(ON) = 20.1 mΩ (typ.) (@VGS = -2.5 V)

RDS(ON) = 15.9 mΩ (typ.) (@VGS = -4.5 V)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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