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SSM3J338R_V01

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

Applications •PowerManagementSwitches Features (1)1.8Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=26.3mΩ(typ.)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=20.1mΩ(typ.)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=15.9mΩ(typ.)(@VGS=-4.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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更多SSM3J338R_V01供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00