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SSM3J145TU中文资料Small Low ON resistance MOSFETs数据手册Toshiba规格书
SSM3J145TU规格书详情
描述 Description
Feature:1.5-volt gate drive voltage
Polarity:P-ch
Generation:U-MOSⅥ
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:泰国
特性 Features
Drain current ID -3 A
Power Dissipation PD 0.5 W
Drain-Source voltage VDSS -20 V
Gate-Source voltage VGSS -8/+6 V
技术参数
- 制造商编号
:SSM3J145TU
- 生产厂家
:Toshiba
- Life-cycle
:新产品
- Package name(Toshiba)
:UFM
- Width×Length×Height(mm)
:2.0 x 2.1 x 0.7
- AEC-Q101
:Qualified(*)
- Polarity
:P-ch
- VDSS(V)
:-20
- ID(A)
:-3.0
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
:0.132
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
:0.103
- Qg(nC)
:4.6
- Tch(℃)
:150
- Drive voltage type
:Low Voltage Gate Drive
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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