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STTH112RL	文件：60.91 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEULTRAFASTRECTIFIER Description TheSTTH112,whichisusingSTultrafasthigh voltageplanartechnology,isspeciallysuitedfor free-wheeling,clamping,snubbering, demagnetizationinpowersuppliesandother powerswitchingapplications Features ■Lowforwardedvoltagedrop ■Highreliability ■Highsurg	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STTH112RL	文件：88.84 Kbytes Page：7 Pages	Highvoltageultrafastrectifier	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STTH112U	文件：60.91 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEULTRAFASTRECTIFIER Description TheSTTH112,whichisusingSTultrafasthigh voltageplanartechnology,isspeciallysuitedfor free-wheeling,clamping,snubbering, demagnetizationinpowersuppliesandother powerswitchingapplications Features ■Lowforwardedvoltagedrop ■Highreliability ■Highsurg	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STTH112U	文件：88.84 Kbytes Page：7 Pages	Highvoltageultrafastrectifier	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STTH112-Y	文件：221.47 Kbytes Page：7 Pages	Lowforwardandreverserecoverytimes	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STTH112-Y	文件：9.99749 Mbytes Page：27 Pages	EiceDRIVER™enhanced1EDI302xAS/1EDI303xASevaluationboard TheEiceDRIVER™enhanced1EDI302xAS/1EDI303xASevaluationboardisaversatileevaluationplatformforthe EiceDRIVER™enhanced1EDI302xAS/1EDI303xASfamily.Itfeaturesahalfbridgeconfiguration,seeFigure1. ThereistheoptiontomounteithertheHybridPACK™DSCIGBTmoduleoradiscreteP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
STX112	文件：151.92 Kbytes Page：5 Pages	SILICONNPNPOWERDARLINGTONTRANSISTOR Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applica	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STX112-AP	文件：151.92 Kbytes Page：5 Pages	SILICONNPNPOWERDARLINGTONTRANSISTOR Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applica	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STX112-AP	文件：343.01 Kbytes Page：9 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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