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STX112分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

STX112

参数属性

STX112 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO92-3

功能描述

SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR
TRANS NPN DARL 100V 2A TO92-3

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

文件大小

151.92 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-3 22:59:00

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STX112规格书详情

STX112属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的STX112晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

描述 Description

The devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration.

特性 Features

■ Good hFE linearity

■ High fT frequency

■ Monolithic Darlington configuration with

integrated antiparallel collector-emitter diode

Application

■ Linear and switching industrial equipment

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STX112

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 8mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 1A,4V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 2A TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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