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STX112	文件：151.92 Kbytes Page：5 Pages	SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR Description The devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration. Features ■ Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode Applica 文件：151.92 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STX112	文件：343.01 Kbytes Page：9 Pages	Complementary power Darlington transistors 文件：343.01 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STX112	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 2A TO92-3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STX112-AP	文件：151.92 Kbytes Page：5 Pages	SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR Description The devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration. Features ■ Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode Applica 文件：151.92 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STX112-AP	文件：343.01 Kbytes Page：9 Pages	Complementary power Darlington transistors 文件：343.01 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STX112-AP	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR	ST 意法半导体	ST
STX112-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 2A TO92AP	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STX112
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 8mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 1A，4V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A TO92-3

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更多STX112供应商更新时间2025-10-4 10:04:00

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