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STX112-AP	文件：151.92 Kbytes Page：5 Pages	SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration. Features ■GoodhFElinearity ■HighfTfrequency ■MonolithicDarlingtonconfigurationwith integratedantiparallelcollector-emitterdiode Applica	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STX112-AP	文件：343.01 Kbytes Page：9 Pages	Complementary power Darlington transistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STX112-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 2A TO92AP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SW-112	文件：106.01 Kbytes Page：1 Pages	SPDTRFSwitch20-2000MHz Features ●UltraBroadband ●HighIsolation–70dBTypical ●IntegralTTLDriver ●HermeticPackage	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
SW-112PIN	文件：106.01 Kbytes Page：1 Pages	SPDTRFSwitch20-2000MHz Features ●UltraBroadband ●HighIsolation–70dBTypical ●IntegralTTLDriver ●HermeticPackage	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
SW-112-PIN	文件：135.15 Kbytes Page：3 Pages	SPDTRFSwitch,20-2000MHz Features •UltraBroadband •HighIsolation:70dBTypical •IntegralTTLDriver •HermeticPackage •50OhmNominalImpedance •MIL-STD-883ScreeningAvailable	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
SW-112-PIN	文件：54.7 Kbytes Page：3 Pages	SPDTRFSwitch,20-2000MHz Features •UltraBroadband •HighIsolation:70dBTypical •IntegralTTLDriver •HermeticPackage •50OhmNominalImpedance •MIL-STD-883ScreeningAvailable	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
SWRS112	文件：1.479 Mbytes Page：35 Pages	HighPerformanceRFTransceiverforNarrowbandSystems	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
SWRS112B	文件：1.479 Mbytes Page：35 Pages	HighPerformanceRFTransceiverforNarrowbandSystems	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
SWRS112C	文件：1.479 Mbytes Page：35 Pages	HighPerformanceRFTransceiverforNarrowbandSystems	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

产品属性

产品编号：
STX112-AP
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 8mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 1A，4V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92AP
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A TO92AP

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