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VNP10N06	文件：126.87 Kbytes Page：11 Pages	?쒹MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
VNP10N06FI	文件：168.29 Kbytes Page：14 Pages	ISOHIGHSIDESMARTPOWERSOLIDSTATERELAY Description TheVND10N06andVND10N06-1aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-2technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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VNP10N06FI

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ISOHIGHSIDESMARTPOWERSOLIDSTATERELAY

Description TheVND10N06andVND10N06-1aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-2technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinh

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