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SSPR10N06-C	文件：322.26 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
TSJ10N06AT	文件：790.93 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelDTMOS	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司	WUMC
TSM10N06	文件：302.72 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET Features ●AdvanceTrenchProcessTechnology ●HighDensityCellDesignforUltraLowOn-resistance Application ●LoadSwitch ●PASwitch	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM10N06CP	文件：2.38028 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
TSM10N06CPRO	文件：302.72 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET Features ●AdvanceTrenchProcessTechnology ●HighDensityCellDesignforUltraLowOn-resistance Application ●LoadSwitch ●PASwitch	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
VND10N06	文件：595.92 Kbytes Page：25 Pages	OMNIFETfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
VND10N06	文件：595.92 Kbytes Page：25 Pages	OMNIFETfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
VND10N06	文件：510.05 Kbytes Page：25 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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VNK10N06FM	文件：168.29 Kbytes Page：14 Pages	ISOHIGHSIDESMARTPOWERSOLIDSTATERELAY Description TheVND10N06andVND10N06-1aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-2technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsinDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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