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SSP6N70A	文件：630.85 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=700V RDS(on)=1.8W ID=6A FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea LowerLeakageCurrent:25mA(Max.)@VDS=700V LowRDS(ON):1.552W(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSS6N70A	文件：637.39 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET AdvancedPowerMOSFET BVDSS=700VRDS(on)=1.8WID=4A FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea LowerLeakageCurrent:25mA(Max.)@VDS=700V LowRDS(ON):1.552W	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSS6N70A	文件：271.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSS6N70A	文件：1.03928 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel700V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSW6N70A	文件：349.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SVF6N70DG	文件：1.51094 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SVF6N70DTR	文件：374.89 Kbytes Page：11 Pages	6A,700VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF6N70MJG/D/K/NisanN-channelenhancementmodepowerMOS fieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryF-CellTM structureVDMOStechnology.Theimprovedprocessandcellstructure havebeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,provide	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVF6N70F	文件：1.51671 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SVF6N70K	文件：374.89 Kbytes Page：11 Pages	6A,700VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF6N70MJG/D/K/NisanN-channelenhancementmodepowerMOS fieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryF-CellTM structureVDMOStechnology.Theimprovedprocessandcellstructure havebeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,provide	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVF6N70MJG	文件：374.89 Kbytes Page：11 Pages	6A,700VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF6N70MJG/D/K/NisanN-channelenhancementmodepowerMOS fieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryF-CellTM structureVDMOStechnology.Theimprovedprocessandcellstructure havebeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,provide	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN

详细参数

型号：
SSF6N70A
功能描述：
MOSFET TO-3PF
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SSF6N70A供应商更新时间2025-5-22 15:14:00

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