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TLHY5200	文件：190.25 Kbytes Page：9 Pages	HighEfficiencyLED,Ø5mmTintedNon-DiffusedPackage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TLHY5200	文件：248.62 Kbytes Page：8 Pages	HighEfficiencyLED,5mmTintedNon-DiffusedPackage	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TPH5200FNH	文件：261.6 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconN-channelMOS Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=8.2nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=44mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=250V) (5	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPH5200FNH	文件：384.66 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET FEATURES ·DrainCurrent-ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=52mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchingVoltageRegulators ·DC-DCconverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TPW5200FNH	文件：376.87 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-channelMOS Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=8.2nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=44mΩ(typ.)(VGS=10V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=250V) (5	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TQS5200	文件：432.59 Kbytes Page：8 Pages	SPDTSwitchforSingle-bandandDual-band,802.11a/b/gSystems GeneralDescription TheTQS5200isahighpower,single-poledouble-throwswitchconfiguredforTX-RXorAntennaDiversityswitchingapplicationsfortheWLANmarket.Thedeviceexhibitsindustry-leadinginsertionloss,isolationandpowerhandling. ProductFeatures •IntegratedSPDTSwitchfor	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TQS5200	文件：415.4 Kbytes Page：7 Pages	802.11a/b/gSingle/Dual-bandSPDTSwitch	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TQS5200-PCB	文件：415.4 Kbytes Page：7 Pages	802.11a/b/gSingle/Dual-bandSPDTSwitch	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TSFF5200	文件：87.1 Kbytes Page：6 Pages	HighSpeedIREmittingDiodeinø5mm(T–13/4)Package DESCRIPTION TSFF5210isaninfrared,870nmemittingdiodeinGaAlAsdoublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerandhighspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-13/4 •Dimensions(inmm):Ø5 •Leadswithstand-off •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHA5200	文件：107.43 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode Description TheTSHA520.seriesarehighefficiencyinfraredemittingdiodesinGaAlAsonGaAlAstechnology,moldedinaclear,untintedplasticpackage. IncomparisonwiththestandardGaAsonGaAstechnologythesehighintensityemittersfeatureabout70radiantpowerimprovement. Features	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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