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TPH5200FNH中文资料东芝数据手册PDF规格书

TPH5200FNH
厂商型号

TPH5200FNH

功能描述

MOSFETs Silicon N-channel MOS

丝印标识

TPH5200FNH

封装外壳

SOP

文件大小

261.6 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-12 9:21:00

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TPH5200FNH规格书详情

Applications

• High-Efficiency DC-DC Converters

• Switching Voltage Regulators

Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 8.2 nC (typ.)

(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 44 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 250 V)

(5) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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