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N60N04VDK	文件：272.04 Kbytes Page：8 Pages	40V??60A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04HLF	文件：284.42 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP60N04HLFandNP60N04ILFareN-channel MOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrent switchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=9.1mΩMAX.(VGS=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04HLF	文件：317.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP60N04ILF	文件：299.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP60N04ILF	文件：284.42 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP60N04HLFandNP60N04ILFareN-channel MOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrent switchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=9.1mΩMAX.(VGS=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04KUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04KUG	文件：345.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.1mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP60N04MUG	文件：372.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP60N04MUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04MUK	文件：111.76 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mMAX.(VGS=10V,ID=30A) •LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SPR60P63	JG-SEMI	23+	PR-PAK	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市富芯拓展电子有限公司	SPR6540-390M	BOURNS	20+	SMD	315	原装	询价
深圳市富诚威科技有限公司	SPR6761-21	ROCKWELL	24+	PLCC-68	4650		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	SPR680LT1	SUNTAK	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	SPR680LT1	SUNTAK	2021+		60000	原装现货，欢迎询价	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	SPR680LT1	SUNTAK	24+	NA/	1459	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市宏兴瑞科技有限公司	SPR680LT1SOT-25	SUNTAK	24+	SOT-23-5	60000	全新原装现货	询价
上海金庆电子技术有限公司	SPR-8	KeystoneElectronics	新		5	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	SPR-8	Keystone Electronics	2022+		1	全新原装货期两周	询价
深圳市创新迹电子有限公司	SPR80N03	SECOS	2022+	DFN56	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价

更多SPR60N04-C供应商更新时间2025-5-15 11:10:00

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