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SPR30N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Willas 威伦电子	Willas
AIKW30N60CT	文件：1.9827 Mbytes Page：16 Pages	Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode 文件：1.9827 Mbytes 页数：16 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AR30N60	文件：672.35 Kbytes Page：15 Pages	ACTIVE / SYNCHRONOUS RECTIFIER 文件：672.35 Kbytes 页数：15 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BIDW30N60T	文件：1.32748 Mbytes Page：10 Pages	BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris 文件：1.32748 Mbytes 页数：10 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS

技术参数

VDS (V)：
30
VGS (±V)：
20
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=10V：
4.9/6
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=4.5V：
6.7/9
Case：
PR-PAK

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更多SPR30N60供应商更新时间2026-1-21 10:02:00

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