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11N60C2	文件：1.8644 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
11N60C2	文件：1.85385 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPA11N60C2	文件：160.17 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature 1.Newrevolutionaryhighvoltagetechnology 2.Ultralowgatecharge 3.Periodicavalancherated 4.Extremedv/dtrated 5.Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPB11N60C2	文件：160.17 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature 1.Newrevolutionaryhighvoltagetechnology 2.Ultralowgatecharge 3.Periodicavalancherated 4.Extremedv/dtrated 5.Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPB11N60C2	文件：1.86869 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPP11N60C2	文件：1.03546 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET Features •LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.55V(Typ.)(IC/IB=-4A/-0.1A) •ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. Structure EpitaxialplanartypePNPsilicontransistor	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPP11N60C2	文件：160.17 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature 1.Newrevolutionaryhighvoltagetechnology 2.Ultralowgatecharge 3.Periodicavalancherated 4.Extremedv/dtrated 5.Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPW11N60C2	文件：119.8 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SSP11N60C2	文件：160.17 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature 1.Newrevolutionaryhighvoltagetechnology 2.Ultralowgatecharge 3.Periodicavalancherated 4.Extremedv/dtrated 5.Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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