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SPP11N60C2规格书详情
Features
• Low VCE(sat).
VCE(sat)=-0.55V(Typ.) (IC/IB=-4A/-0.1A)
• Excellent DC current gain characteristics.
Structure
Epitaxial planar type PNP silicon transistor
产品属性
- 型号:
SPP11N60C2
- 制造商:
INFINEON
- 制造商全称:
Infineon Technologies AG
- 功能描述:
Cool MOS⑩ Power Transistor
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
22+ |
TO-3P |
9000 |
原装现货库存.价格优势 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-220 |
6680 |
全新原装优势 |
询价 | ||
I |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
INFINEON |
1932+ |
TO-220 |
266 |
询价 | |||
INFINEON |
24+ |
TO-220 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO220 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-220 |
19 |
询价 | |||
INFINE |
2410+ |
to-220 |
28000 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
询价 | ||
INFINEON |
2022+ |
TO-220 |
57550 |
询价 | |||
英飞凌/西门子 |
23+ |
TO |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 |