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SPS04N60C3	文件：1.90727 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPS04N60C3	文件：625.64 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPS04N60C3	文件：429.08 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHScompliant;Halogenfreemoldcompounda) •Qualif	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPU04N60C3	文件：287.2 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPU04N60C3	文件：1.0464 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPU04N60C3	文件：320.55 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-251(IPAK)package •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIO	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPU04N60C3	文件：868.93 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
SPP04N60C3XK
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 650V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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