Cool MOS??Power Transistor

Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance • P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)

文件：252.67 Kbytes 页数：12 Pages

Infineon

英飞凌

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRIPTION • High peak current capability • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitances • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.65Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

文件：339.39 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology

文件：398.23 Kbytes 页数：10 Pages

Infineon

英飞凌

CoolMOSTM Power Transistor

文件：490.95 Kbytes 页数：10 Pages

Infineon

英飞凌

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

CoolMOS™ P7替代CoolMOS™ C3 。\n 800V CoolMOS™ C3 是英飞凌第三个 CoolMOS™ 系列产品，于 2001 年上市。C3 是产品组合中的主力军。 特定导通电阻低（R DS（on）* A）\n • 输出电容为（E oss）@ 400V 时，能量储存非常低\n• 低栅极电荷(Qg)\n• 经过实践认证的 CoolMOS™ 质量\n• 自1998年以来，英飞凌就开始大规模开发CoolMOS™ 技术\n\n优势:\n• 高效率，高功率密度\n• 超高成本/性能比\n• 高可靠性\n• 使用方便\n ;

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英飞凌

CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology

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Infineon

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CoolMOSTM Power Transistor

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