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SPP11N60C3XKSA1

INFINEON
TO-220=3

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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SPP11N60C3XKSA1

Infineon
原装

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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SPP11N60C3XKSA1

Infineon Technologies
PG-TO220-3-1

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

相关企业:中天科工半导体(深圳)有限公司

SPP11N60C3XKSA1

INF
标准封装

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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SPP11N60C3XKSA1

INF
标准封装

IRI

Information Resources, Inc. IRI

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详细参数

  • 型号:

    SPP11N60C3XKSA1

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon Technologies
24+
PG-TO220-3-1
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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INFINEON/英飞凌
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TO-220-3
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TO-220=3
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TO220-3
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更多SPP11N60C3XKSA1供应商 更新时间2025-5-20 18:19:00