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SPI11N60C3中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
SPI11N60C3规格书详情
• DESCRITION
• Ultra low gate charge
• High peak current capability
• Improved transconductance
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.38Ω
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
产品属性
- 型号：
SPI11N60C3
- 功能描述：
MOSFET COOL MOS PWR TRANS MAX 650V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO262 |
54000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO262 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
TO-262 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
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询价 | ||
Infineon Technologies |
25+ |
30000 |
原装现货,支持实单 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
P-TO262-3-1 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
INF |
TO262 |
53650 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO262 |
6000 |
只做原装 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
