N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.01997 Mbytes 页数：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.01986 Mbytes 页数：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Enhancement mode Logic LevelExcellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)

文件：755.46 Kbytes 页数：9 Pages

Infineon

英飞凌

N 沟道功率 MOSFET

极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制，可改善电磁干扰行为，以及延长电池寿命。可用于半桥配置（功率级 5x6） • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻，小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现，无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;

Infineon

英飞凌

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Infineon

英飞凌

N-Channel Enhancement mode Logic LevelExcellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)

Infineon

英飞凌