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SPD50N03S2L-06

OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

SPD50N03S2L-06

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SPD50N03S2L-06G

N-Channel Enhancement mode Logic LevelExcellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

SPD50N03S2L-06G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

IPD50N03S2L-06

OptiMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

  • 型号:

    SPD50N03S2L-06

  • 功能描述:

    MOSFET TRANSISTOR

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SPD50N03S2L-06供应商 更新时间2025-7-19 14:13:00