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SPD50N03S2	文件：335.2 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPD50N03S2-07	文件：1.02006 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02006 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD50N03S2-07	文件：647.54 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated 文件：647.54 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD50N03S2-07	文件：261.839 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：261.839 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD50N03S2-07_08	文件：647.54 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated 文件：647.54 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD50N03S2-07G	文件：647.54 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated 文件：647.54 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD50N03S2-07G	文件：1.02004 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02004 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD50N03S2L	文件：755.46 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement mode Logic LevelExcellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) 文件：755.46 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD50N03S2L_08	文件：755.46 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement mode Logic LevelExcellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) 文件：755.46 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD50N03S2L-06	文件：262.76 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：262.76 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
DPAK (TO-252)
VDS max：
30.0V
RDS (on) max：
7.3mΩ
Polarity ：
N
ID max：
50.0A
Ptot max：
136.0W
IDpuls max：
200.0A
VGS(th) min max：
2.1V 4.0V
QG ：
35.0nC
Rth ：
1.1K/W
Ciss ：
1630.0pF
Coss ：
750.0pF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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