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SPD50N03S207GBTMA1	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3	Infineon 英飞凌	Infineon
SPEC12110	文件：0 bytes Page：0 Pages	ALPS DIP-6	ALPS 阿尔卑斯上传：深圳市紫诺翔电子科技有限公司	ALPS
SPF5043A-VF-RP	文件：0 bytes Page：0 Pages	SANKEN 三垦 HSOP-24	SANKEN 三垦上传：深圳市宝隆芯业科技有限公司	SANKEN 三垦
SPF5043Z	文件：0 bytes Page：0 Pages	QORVO SOT343	QORVO 威讯联合上传：深圳市嘉轩电子科技有限公司	QORVO
SPF5043Z	文件：0 bytes Page：0 Pages	RFMD SOT343	RFMD 威讯联合上传：北京逸博微科技有限公司	RFMD

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
7.3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
4V @ 85µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
46.5nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
2170pF @ 25V
功率耗散（最大值）：
136W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
供应商器件封装：
PG-TO252-3
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SPD50N03S207GBTMA1供应商更新时间2025-10-6 8:01:00

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