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SPD50N03S207GBTMA1_NKK/恩楷楷_Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R南科功率
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
：SPD50N03S207GBTMA1
- 生产厂家
：英飞凌
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：50A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：7.3 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：4V @ 85µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：46.5nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：2170pF @ 25V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：136W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 供应商器件封装
：PG-TO252-3
- 封装/外壳
：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商
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