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SPD30N03	文件：111.83 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS횘 Power Transistor Features • N channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv/dt rated • 175˚C operating temperature 文件：111.83 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	SIPMOSÒ Power Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N03L	文件：96.91 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power Transistor Features • N channel • Enhancement mode • Avalanche rated • Logic Level • dv/dt rated • 175°C operating temperature 文件：96.91 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
SPD30N03S2L	文件：334.44 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Superior thermal resistance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤10mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：334.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPD30N03S2L07	文件：510.87 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSa Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：510.87 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N03S2L-07	文件：510.87 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSa Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：510.87 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N03S2L-07	文件：510.17 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：510.17 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD30N03S2L-07	文件：260.04 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：260.04 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N03S2L07T	文件：1.02041 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：1.02041 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD30N03S2L-08	文件：1.02038 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：1.02038 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
6.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2V @ 85µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
68nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
2530pF @ 25V
功率耗散（最大值）：
136W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
供应商器件封装：
PG-TO252-3
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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更多SPD30N03供应商更新时间2025-10-5 16:10:00

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