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SPD30N03S2L-07	文件：260.04 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：260.04 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N03S2L-07	文件：510.87 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSa Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：510.87 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N03S2L-07	文件：510.17 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：510.17 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD30N03S2L-07	文件：658.42 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated 文件：658.42 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N03S2L-07	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS Power-Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N03S2L-07_08	文件：658.42 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated 文件：658.42 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N03S2L-07G	文件：658.42 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated 文件：658.42 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
SPD30N03S2L-07
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 30A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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