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|---|---|---|---|---|
SPD30N03S2L | N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Superior thermal resistance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤10mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：334.44 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
OptiMOSa Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：510.87 Kbytes 页数：8 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
OptiMOSa Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：510.87 Kbytes 页数：8 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：510.17 Kbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
OptiMOS Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：260.04 Kbytes 页数：8 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：1.02041 Mbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：1.02038 Mbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：1.02034 Mbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
OptiMOS Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • Low On-Resistance RDS(on) • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：256.26 Kbytes 页数：8 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：1.02024 Mbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI |
技术参数
- 技术：
MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：
30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
6.7 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2V @ 85µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
68nC @ 10V
- Vgs（最大值）：
±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
2530pF @ 25V
- 功率耗散（最大值）：
136W（Tc）
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装
- 供应商器件封装：
PG-TO252-3
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFIENION |
06+ |
原厂原装 |
2481 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-252 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
SOT-252 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
infineon |
1415+ |
TO-252(DPAK) |
28500 |
全新原装正品,优势热卖 |
询价 | ||
INFINEON |
2016+ |
TO-252 |
6877 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
INFINEO |
25+ |
TO-252 |
6877 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
INFINEON |
17+ |
TO-252 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
INFINEON |
TO-252 |
6877 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
询价 | |||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
1450 |
询价 | |||
INF |
24+ |
TO-252-2 |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 |
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