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SPD30N03S2L-10	文件：637.45 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode 文件：637.45 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N03S2L-10_08	文件：637.45 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode 文件：637.45 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N03S2L-20	文件：687.74 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level 文件：687.74 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N03S2L-20_08	文件：687.74 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level 文件：687.74 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N03S2L-20G	文件：687.74 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level 文件：687.74 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N03S2L-07	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS Power-Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N03S2L07GBTMA1	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
6.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2V @ 85µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
68nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
2530pF @ 25V
功率耗散（最大值）：
136W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
供应商器件封装：
PG-TO252-3
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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更多SPD30N03供应商更新时间2025-10-7 10:16:00

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