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SPP18P06PG	文件：454 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SPP18P06PH	文件：956.64 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SPU18P06P	文件：939.51 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UTT18P06	文件：133.4 Kbytes Page：3 Pages	18.3A,60VP-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
SPB18P06P G
功能描述：
MOSFET P-CH 60V 18.6A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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