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SPD18P06P	文件：117.35 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power-Transistor 文件：117.35 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD18P06P	文件：567.8 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS횘 Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated 文件：567.8 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD18P06PG	文件：534.99 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS Power-Transistor Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv/dt rated · 175°C operating temperature ° Pb-free lead plating; RoHS compliant ° Qualified according to AEC Q101 文件：534.99 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD18P06P_08	文件：567.8 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS횘 Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated 文件：567.8 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD18P06PG	文件：567.8 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS횘 Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated 文件：567.8 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD18P06PG	文件：1.00614 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.00614 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD18P06P	文件：300 bytes Page：1 Pages	SIPMOS Power-Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD18P06P G	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-250V P-Channel Power MOSFET 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
SPD18P06PGBTMA1
Qualification：
Automotive
Package name：
DPAK (TO-252) (PG-TO252-3)
VDS max：
-60 V
RDS (on) @10V max：
130 mΩ
ID @25°C max：
-18.6 A
QG typ @10V：
22 nC
VGS(th) min：
-2.1 V
VGS(th) max：
-4 V
Technology：
SIPMOS™

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更多SPD18P06P供应商更新时间2025-11-22 9:38:00

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