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SPD18P06P	文件：117.35 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD18P06P	文件：567.8 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS횘 Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD18P06PG	文件：534.99 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOS Power-Transistor Features ·P-Channel ·Enhancementmode ·Avalancherated ·dv/dtrated ·175°Coperatingtemperature °Pb-freeleadplating;RoHScompliant °QualifiedaccordingtoAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SPD18P06PG	文件：1.00614 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
SPD18P06P
功能描述：
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SIPMOS®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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