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SPP18P06P	文件：100.4 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power-Transistor 文件：100.4 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP18P06P	文件：759.57 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：759.57 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP18P06P_09	文件：759.57 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：759.57 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP18P06PG	文件：759.57 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：759.57 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP18P06PG	文件：454 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power-Transistor 文件：454 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP18P06PG	文件：933.23 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：933.23 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPP18P06PG_10	文件：454 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power-Transistor 文件：454 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP18P06PH	文件：577.07 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Small-Signal-Transistor 文件：577.07 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPP18P06PH	文件：956.64 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：956.64 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPP18P06P H	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-250V P-Channel Power MOSFET 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
SPP18P06PHXKSA1
Qualification：
Automotive
Package name：
PG-TO220-3
VDS max：
-60 V
RDS (on) @10V max：
130 mΩ
QG typ @10V：
-21 nC
VGS(th) min：
-2.1 V
VGS(th) max：
-4 V
Technology：
SIPMOS™

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SPP18P06P供应商更新时间2025-11-21 13:38:00

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