丝印：18P06P；Package：PG-TO263-3；SIPMOS짰 Power-Transistor

Features • P-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv/dt rated • 175°C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant * Halogen-free according to IEC61249-2-21 ° Qualified according to AEC Q101

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INFINEON

英飞凌

SIPMOS Power-Transistor

Features • P-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv /dt rated • 175°C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant ° Halogen-free according to IEC61249-2-21 ° Qualified according to AEC Q101

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SIPMOS짰 Power-Transistor

Features • P-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv/dt rated • 175°C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant * Halogen-free according to IEC61249-2-21 ° Qualified according to AEC Q101

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SIPMOS Power-Transistor

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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-60V，D2PAK

英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。 • 增强模式\n• 快速开关\n• 无铅镀铅\n• 符合 AEC Q101 要求;

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