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Infineon(英飞凌)TO-263-3

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深圳市联世界科技有限公司

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深圳市星辰微电科技有限公司

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SPB18P06P G功能描述:MOSFET P-CH 60V 18.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SPB18P06PG制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-Channel 60V 18.6A SIPMOS TO263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

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