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SPB18P06P	文件：100.4 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power-Transistor 文件：100.4 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPB18P06PG	文件：314.16 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power-Transistor Features • P-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv /dt rated • 175°C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant ° Halogen-free according to IEC61249-2-21 ° Qualified according to AEC Q101 文件：314.16 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPB18P06PG	文件：446.97 Kbytes Page：8 Pages	丝印：18P06P；Package：PG-TO263-3；SIPMOS짰 Power-Transistor Features • P-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv/dt rated • 175°C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant * Halogen-free according to IEC61249-2-21 ° Qualified according to AEC Q101 文件：446.97 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPB18P06PG_12	文件：446.97 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features • P-Channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv/dt rated • 175°C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant * Halogen-free according to IEC61249-2-21 ° Qualified according to AEC Q101 文件：446.97 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SPB18P06PG	文件：982.84 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：982.84 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPB18P06P	文件：300 bytes Page：1 Pages	SIPMOS Power-Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
SPB18P06P G	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-60V，D2PAK 英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。 • 增强模式\n• 快速开关\n• 无铅镀铅\n• 符合 AEC Q101 要求;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Coss：
230 pF
ID max：
-18.6 A
IDpulsmax：
-74.8 A
Ptotmax：
80 W
QG(typ @10V)：
18.6 nC
RDS (on)(@10V) max：
130 mΩ
RthJCmax：
1.85 K/W
Rth：
1.85 K/W
VDSmax：
-60 V
VGS(th)：
-3 V
Mounting：
SMD
Package：
D2PAK (TO-263)
Operating Temperature：
-50 °C to 175 °C
Polarity：
P
Mode：
Enhancement
Budgetary Price €/1k：
0.41

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