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SN65C1168E	文件：741.45 Kbytes Page：19 Pages	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS WITH 짹15-kV ESD PROTECTION 文件：741.45 Kbytes 页数：19 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EMPWSEP	文件：464.61 Kbytes Page：24 Pages	丝印：1168SEP；Package：TSSOP；SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection 1 Features • VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fini 文件：464.61 Kbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EMPWSEP.A	文件：464.61 Kbytes Page：24 Pages	丝印：1168SEP；Package：TSSOP；SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection 1 Features • VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fini 文件：464.61 Kbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EMPWTSEP	文件：464.61 Kbytes Page：24 Pages	丝印：1168SEP；Package：TSSOP；SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection 1 Features • VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fini 文件：464.61 Kbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EMPWTSEP.A	文件：464.61 Kbytes Page：24 Pages	丝印：1168SEP；Package：TSSOP；SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection 1 Features • VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fini 文件：464.61 Kbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168E-SEP	文件：464.61 Kbytes Page：24 Pages	SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection 1 Features • VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fini 文件：464.61 Kbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EMPWSEP	文件：899.69 Kbytes Page：24 Pages	丝印：1168SEP；Package：TSSOP；SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With 짹12-kV ESD Protection 文件：899.69 Kbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EMPWTSEP	文件：899.69 Kbytes Page：24 Pages	丝印：1168SEP；Package：TSSOP；SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With 짹12-kV ESD Protection 文件：899.69 Kbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168ENS	文件：741.45 Kbytes Page：19 Pages	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS WITH 짹15-kV ESD PROTECTION 文件：741.45 Kbytes 页数：19 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168ENSG4	文件：741.45 Kbytes Page：19 Pages	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS WITH 짹15-kV ESD PROTECTION 文件：741.45 Kbytes 页数：19 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Number of transmitters：
2
Duplex：
Full
Supply voltage (Nom) (V)：
5
Signaling rate (Max) (Mbps)：
10
IEC 61000-4-2 contact (+/- kV)：
8
Fault protection (V)：
-10 to 15
Common mode range：
-7 to 7
Number of nodes：
32
Features：
IEC ESD protection
Isolated：
No
ICC (Max) (mA)：
9
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 85

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市正迈科技有限公司	SN65C1168EPW	TI	23+	NA	102639	专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价，原装元器件供应，支持开发样品	询价

更多SN65C1168E供应商更新时间2025-10-14 10:12:00

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