SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection

1 Features • VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fini

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SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With 짹12-kV ESD Protection

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采用增强型航天塑料封装的抗辐射加固保障 RS-422 双路差分驱动器和接收器

SN65C1168E-SEP 包含双驱动器和双接收器，具有 ±12kV ESD (HBM) 和 ±8kV ESD（IEC61000-4-2 空气间隙放电和接触放电），适用于 RS-422 总线引脚。此器件符合 TIA/EIA-422-B 和 ITU Recommendation V.11 标准的要求。经过 20krad(Si) TID 接触之后，有些参数不符合所有的 TIA/EIA-422-B 和 ITU Recommendation V.11 要求。\n\nSN65C1168E-SEP 驱动器具有单独的高电平有效使能端。 • VID V62/19606\n• 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下的抗扰度可达 43MeV-cm2/mg\n• 每个晶圆批次的 RLAT 总电离剂量 (TID) 高达 20krad(Si)\n• 增强型航天塑料 \n• 金线\n• 一个组装和测试基地\n• 支持军用（–55°C 至 125°C）温度范围\n• 延长了产品变更通知\n• 采用增强型模塑化合物实现低释气\n• 达到或超出 TIA/EIA-422-B 和 ITU Recommendation V.11 标准的要求\n• 为 RS-422 总线引脚提供 ESD 保护 \n• ±8kV IEC 61000-4-2，接触放电;

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DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS

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