SN65C1168E-SEP数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

SN65C1168E-SEP 包含双驱动器和双接收器，具有 ±12kV ESD (HBM) 和 ±8kV ESD（IEC61000-4-2 空气间隙放电和接触放电），适用于 RS-422 总线引脚。此器件符合 TIA/EIA-422-B 和 ITU Recommendation V.11 标准的要求。经过 20krad(Si) TID 接触之后，有些参数不符合所有的 TIA/EIA-422-B 和 ITU Recommendation V.11 要求。

SN65C1168E-SEP 驱动器具有单独的高电平有效使能端。

特性 Features

• VID V62/19606
• 耐辐射
• 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下的抗扰度可达 43MeV-cm2/mg
• 在 30krad(Si) 的条件下无 ELDRS
• 每个晶圆批次的 RLAT 总电离剂量 (TID) 高达 20krad(Si)

• 增强型航天塑料
• 受控基线
• 金线
• NiPdAu 铅涂层
• 一个组装和测试基地
• 一个制造基地
• 支持军用（–55°C 至 125°C）温度范围
• 延长了产品生命周期
• 延长了产品变更通知
• 产品可追溯性
• 采用增强型模塑化合物实现低释气

• 达到或超出 TIA/EIA-422-B 和 ITU Recommendation V.11 标准的要求
• 由一个 5V 电源供电
• 为 RS-422 总线引脚提供 ESD 保护
• ±12kV 人体放电模型 (HBM)
• ±8kV IEC 61000-4-2，接触放电
• ±8kV IEC 61000-4-2，空气间隙放电

• 低脉冲偏斜
• 接收器输入阻抗 ... 17kΩ（典型值）
• 接收器输入灵敏度 ...±200mV
• -7V 至 7V 的接收器共模输入电压范围
• 无干扰上电/断电保护