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SIR788DP

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

文件:342.95 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR788DP

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

文件:344.79 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR798DP

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

文件:311.1 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIR8

SIR 8 Series

文件:310.66 Kbytes 页数:1 Pages

ELESTA

SIR800ADP

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:237.84 Kbytes 页数:9 Pages

VISHAYVishay Siliconix

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SIR800ADP-T1-GE3

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:237.84 Kbytes 页数:9 Pages

VISHAYVishay Siliconix

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SIR800DP

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:132.15 Kbytes 页数:7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

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SIR800DP_V01

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:367.55 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

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SIR800DP-T1-GE3

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:132.15 Kbytes 页数:7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

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SIR800DP-T1-GE3

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

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技术参数

  • Package:

    PowerPAK SO-8

  • Ch:

    N

  • VDS (V):

    100

  • VGS (V):

    20

  • RDS(on)@4.5V (Ω):

    0.0077

  • RDS(on)@10V (Ω):

    0.0061

  • Qg @4.5V (nC):

    33

  • Qg @10V (nC):

    73

  • Qgs (nC):

    13.8

  • Qgd (nC):

    6.5

  • ID Max. (A):

    81

  • PD Max. (W):

    100

  • VGS(th) Min. (V):

    1

  • Rg Typ. (Ω):

    0.9

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更多SIR供应商 更新时间2026-2-4 13:30:00