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SIR802DP	文件：343.74 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：343.74 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIR802DP	文件：512.12 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：512.12 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIR802DP-T1-GE3	文件：512.12 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：512.12 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIR802DP-T1-GE3	文件：1.09819 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.09819 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SIR804DP	文件：503.3 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：503.3 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIR804DP	文件：505.63 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：505.63 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIR804DP	文件：334.81 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：334.81 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIR804DP_12	文件：505.63 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：505.63 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIR804DP_V01	文件：371.19 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：371.19 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIR804DP-T1-GE3	文件：371.19 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：371.19 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

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技术参数

Package：
PowerPAK SO-8
Ch：
N
VDS (V)：
100
VGS (V)：
20
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.0077
RDS(on)@10V (Ω)：
0.0061
Qg @4.5V (nC)：
33
Qg @10V (nC)：
73
Qgs (nC)：
13.8
Qgd (nC)：
6.5
ID Max. (A)：
81
PD Max. (W)：
100
VGS(th) Min. (V)：
1
Rg Typ. (Ω)：
0.9

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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