| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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VISHAYDFN-8 |
6521 |
22+ |
公司优势品牌:SMSC半磁半导体/ MAXIM美国美信/TI/BB德州仪/器 STC宏晶科技/ATMEL爱特梅尔SONIX松翰NXP恩智浦ST意法半导体FTDI /SILICON /ICPLUS/JRC。 |
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深圳市永智通贸易有限公司1年
留言
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VISHAYQFN8 |
16789 |
20+ |
原装正品现货 特价支持实单 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
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VISHAYQFN8 |
7250 |
23+ |
原装现货 欢迎询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAY/威世PowerPAK-SO-8 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市麒裕半导体科技有限公司1年
留言
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VISHAY/威世PAKSO-8 |
3000 |
全新年份 |
性价比之王一站式配单,可靠、高效、价格好 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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VISHAYSO-8 |
10000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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VISHAY/威世QFN |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYQFN8 |
99000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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VISHAY SEMICONDUCTORSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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VISHAYSOP-8 |
6510 |
只做原装正品假一赔十 正规渠道订 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世QFN |
1656 |
15+ |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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3000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAYPowerPAK |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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VISHAYQFN-8 |
8000 |
22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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VISHAYSMD |
30000 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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VISHAYQFN-8 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
8080 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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5000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
33500 |
23+ |
全新进口原装现货,假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世QFN |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
SIR8采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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SIR836DP-T1-GE3价格
SIR836DP-T1-GE3价格：￥1.7979品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SIR836DP-T1-GE3多少钱，想知道SIR836DP-T1-GE3价格是多少？参考价：￥1.7979。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SIR836DP-T1-GE3批发价格及采购报价，SIR836DP-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SIR836DP-T1-GE3报价。
SIR880ADP-T1-GE3资讯
SIR880ADP-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SIR800DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 V(D-S) MOSFET
SIR800DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 50A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR802DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V(D-S) MOSFET
SIR802DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR804DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100 V(D-S) MOSFET
SIR804DP_12制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100 V(D-S) MOSFET
SIR804DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 100V 7.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR808DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25 V(D-S) MOSFET
SIR808DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR812DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
